Томат индетерминантный

Главная » Каталог статей » Томат индетерминантный

Томат индетерминантный

Предисловие

Выращивание рассады

Срок посева

Посев

Высадка рассады

Шаг посадки рассады

Полив кубиков с рассадой

Внесение удобрений в кубики с рассадой

Температура и вентиляция

Освещение во время выращивания рассады

Обогащение СО₂ во время выращивания рассады

Возделывание

Доставка растений

Подготовка теплицы

Посадка

Шаг посадки

Поддержка и ведение кустов/побегов

Температура и вентиляция

Полив

Контроль за влажностью

Питание растений

Сбалансированное развитие растения

Признаки, свидетельствующие о чрезмерном вегетативном развитии

Меры, корректирующие развитие растения в направлении генеративного роста

Признаки, свидетельствующие о чрезмерном генеративном развитии

Меры, корректирующие развитие растения в направлении вегетативного роста

Затенение стёкол

Удаление боковых побегов (пасынкование)

Удаление листьев

Обогащение СО₂

Обрезка цветков в кистях (прореживание)

Увлажнение

Завязывание плодов

Сбор урожая

Анализ и измерения

Завершение возделывания культуры

Гидропонная культура томата

Посев и посадка

Качество поливной воды

Питательный раствор

Дозировка питательных веществ

Питательный раствор в субстрате

Контроль за содержанием питательных элементов

Подготовка площади для выращивания культуры

Смачивание плит

Система орошения

Посадка

Температура и вентиляция

Регулирование влажности, обогащение СО₂, увлажнение и завязывание плодов

Норма полива

Томаты типа “БИФ” (“Beef”)

Общие замечания

Выращивание рассады

Начало культуры

Температура

Полив и электропроводность

Прореживание цветков

Предисловие

Цель нижеследующего описания заключается в том, чтобы дать основные сведения по выращиванию томатов в почве и на минеральной вате. Мы не задавались целью приведения исчерпывающей информации, а хотим дать некоторые советы, которые могут послужить полезным дополнением к практическим знаниям овощевода.

Предлагаемая информация основана на опыте выращивания томатов в Голландии. Хотя эта брошюрка написана с учётом новейшей информации в этой области, мы не берём на себя никакой ответственности в том случае, если ожидаемые результаты не будут получены. Более того, мы не гарантируем получения одинаковых результатов в различных условиях окружающей среды. Выращивание в условиях любой другой страны мира может потребовать иной интерпретации предлагаемых рекомендаций. Тем не менее, мы надеемся, что настоящая информация окажется для вас полезной, и вы добьётесь успеха в выращивании томатов.

Выращивание рассады

Общие сведения

Количество семян в 1 г 250 – 350 шт.

Расход семян 25.000 – 30.000 шт./га

Оптимальная температура прорастания 23°С

Срок посева

Время выращивания рассады составляет 9 недель в зимний период, 6 недель в весенний и 5 недель в летний период. Очень важно вырастить здоровую, сильную, хорошо развитую рассаду до стадии, близкой к цветению первой кисти.

Посев

Используйте отдельную площадь для посева. Подходящий рассадник должен быть абсолютно чистым, продезинфицированным и иметь хорошее освещение. Необходимо наличие возможности раздельного регулирования температуры и вентиляции. Наиболее удобным методом является отделение части теплицы с помощью прозрачной плёнки. Для поддержания постоянного микроклимата используйте двойную плёнку.

При использовании кассет для рассады, пользуйтесь кассетами с дренажными отверстиями на дне ячейки. Можно использовать несколько видов посевного субстрата. Чаще всего используется торфо-песчаный компост. Не высевайте непосредственно в почву, а делайте это на тепличных стеллажах. Обеспечьте достаточный дренаж во избежание задержки воды в рассадочной грядке и риска заражения "чёрной ножкой".

При непосредственном посеве в почву, без использования лотков с ячейками, не высевайте слишком густо, поскольку это приведёт к получению тонкой и слабой рассады. Для оптимального использования имеющегося освещения предпочтительно производить посев рядами.

Перед посевом хорошо увлажните субстрат. После посева накройте семена 0,5-сантиметровым слоем вермикулита, песка или торфокрошки. Поверх рассадочной грядки следует положить плёнку для поддерживания влажности почвы. Вместо полиэтиленовой плёнки можно также использовать слой бумаги или джута, но предпочтительно использование плёнки.

Для отражения солнечного света и предотвращения повышения температуры накрывайте рассадочные грядки белыми пластинами из стиропора (пенополистирола).

Разместите ящики или лотки для посева семян на открытые стеллажи над нагревательным трубопроводом. Расстояние между стеллажами и трубопроводом должно быть достаточно большим (минимум 50 см) во избежание чрезмерно высоких температур. Использование стеллажей позволит добиться более равномерных температур. Для проращивания поддерживайте оптимальную температуру, 23°С, в дневное и в ночное время. Через 5-6 дней появятся всходы. Как только появятся несколько первых всходов, следует снять плёнку с рассадочной грядки. Это нужно сделать либо рано утром или во второй половине дня, чтобы избежать чрезмерного испарения в полуденные часы.

Поддерживайте влажность почвы поливом рассадочных грядок по мере необходимости. Лучше всего это делать путём поднятия цилиндров или почвенно-перегнойных кубиков и проверки на влажность рукой. При необходимости полива используйте очень тонко распыляемую струю и избегайте попадания крупных капель на рассаду. Если допускать чрезмерное высыхание почвы, то на всходах будет оставаться семенная плёнка.

Высадка рассады

Когда растения уже достаточно большие, чтобы их можно было перемещать, не нанося им повреждений, обычно через 11-12 дней после посева, рассаду или почвенные цилиндры с рассадой можно пересаживать в почвенно-перегнойные кубики или пластиковые горшки. На этой стадии развития две семядоли прямостоячие, и первый настоящий лист длиной примерно в 5мм.

Подходящими размерами почвенного кубика являются: 10х10х10см. Избегайте пересадки рассады ранним утром, поскольку в это время растения будут твёрдыми и хрупкими, что может приводить к их повреждению. В случаях, когда пересадка в утренние часы необходима, во избежание ломкости не поливайте рассаду накануне вечером.

Если семена высевали в рассадочную грядку, производите пересадку путём подъёма части почвы с растением рукой снизу, разрыхляя почву, и осторожного помещения в почвенный кубик. Избегайте вытаскивания растения из почвы. При помещении растения в почвенный кубик прижимайте почву в направлении растения и убедитесь, что корни хорошо соприкасаются с почвой. Если посев производился в кассеты для рассады, то почвенные цилиндры с рассадой можно вынимать из кассеты с помощью предварительно подложенных под них "соломенных подложек" (из колосков).

Распространенным методом является посадка рассады "корнями вверх" (переворачивая вверх дном почвенные кубики с рассадой). При таком способе посадки растение будет короче и с более прямостоячим габитусом. Стебель саженца будет к тому же на большем протяжении своей длины соприкасаться с почвой, что будет способствовать развитию более мощной корневой системы.

Шаг посадки рассады

При размещении рассады в рассадочной теплице, чтобы добиться оптимального освещения, листья растения никогда не должны перекрываться с листьями соседних растений.

Очень важно не допустить проникновения корней в почву, находящуюся под кубиками. Лучше всего для этого использовать “пластмассовые блюдца”. Если их вверх дном поместить под почвенные кубики, кубики не будут соприкасаться с подлежащей почвой, и к тому же будет обеспечиваться хороший дренаж.

Другим методом предотвращения проникновения корней в подлежащую почву является использование белых пластиковых полосок (лент). Белый полиэтилен будет также способствовать отражению света.

Обычно, по истечении 25 дней, в кубик втыкают небольшую палочку, чтобы растение не падало. В зависимости от освещённости и развития растения, кубики с рассадой следует несколько раз “перемещать”, изменяя густоту стояния растений. Окончательная густота стояния должна составлять 16 растений на м² (в зависимости от времени года и массы растения, которой овощевод хочет добиться).

Полив кубиков с рассадой

Полив кубиков с рассадой предпочтительно производить снизу, из шланга или с помощью капельного орошения. Минимальная температура воды должна быть 16-17°С. Для обеспечения хорошего дренажа почва должна быть слегка выпуклой. Хороший дренаж необходим для того, чтобы избежать переувлажнения кубиков, способствующего заражению растения “чёрной ножкой”. Произведите достаточный полив растений после помещения их в рассадочную теплицу.

Внесение удобрений в кубики с рассадой

Удобрения добавляются в воду, с учётом почвенных условий. Полив водой с удобрениями следует производить с учётом потребности и развития растений. Электропроводность (солёность) должна составлять менее 2мс/см при контакте с листьями, чтобы избежать их повреждения.

Температура и вентиляция

Оптимальная температура для выращивания рассады – 23-24°С. в дневное и в ночное время. При достаточном освещении дневную температуру можно повысить до 25°С. Поддержание ночной и дневной температуры почти на одинаковом уровне позволит получить короткие междоузлия и хорошее начальное развитие первых трёх кистей.

При очень низкой ночной и дневной температуре растение будет развиваться слишком медленно, оно будет очень низким, и первая кисть будет расположена слишком низко на растении.

Теплица должна быть оборудована несколькими датчиками для регистрации температуры воздуха, обогрева и вентиляции. Эти датчики должны быть установлены на уровне высоты растения в центральном положении. Не допускайте прямого излучения тепла на растения от нагревательного трубопровода, проходящего вблизи от растений.

По возможности расположите трубопровод на высоте 2 м над растениями. Поддерживайте температуру воды в нагревательном трубопроводе на уровне минимум 45°С при использовании 4 труб на пролёт длиной 3.20м. Начинайте обогрев за день или два до пересадки, чтобы хорошо прогреть почву.

Рекомендуемые для выращивания рассады температуры соотносятся с определёнными стадиями развития растений. Общий принцип, которым следует руководствоваться при выборе температур, следующий:

r	Дневная	Ночная
Проращивание (дни 1-5)	23°С	23°С
Дни 6-11:	23°С	23°С
Дни 12-24:	23°С	23°С
С 25-го дня:	22°С	22°С
t	21°С	20°С
	20°С	19°С
t до 40 дня	19°С	17°С

Амплитуда колебаний температуры почвы должна совпадать с таковой ночной и дневной температуры воздуха в теплице.

Желательно придерживаться вышеуказанных значений температуры. Температура может незначительно колебаться в зависимости от стадии развития растения. Для получения сильных растений, за одну-две недели до высадки рассады рекомендуется понизить температуру. Поддержание температуры на уровне 23°С в течении 9 дней приводит к образованию 9 листьев под первой кистью. Когда под первой кистью формируется менее 9 листьев, растение достигает слишком высокого уровня генеративного развития для данной стадии (т.е. к моменту высадки в почву), что приводит к снижению урожая.

Если у растения развиваются слишком толстые стебли, рекомендуется немного понизить ночную температуру. Увеличение разности ночной и дневной температур будет способствовать удлинению междоузлий и вытягиванию растения в высоту. Высокая среднесуточная температура также будет способствовать удлинению растений.

В нижеприведенной таблице обобщено влияние температуры на растение:

Увеличение разности дневных и ночных температур.	Растение вытягивается в высоту. Междоузлия длиннее.
Уменьшение разности дневных и ночных температур.	Растение компактное. Междоузлия короче.
Высокая среднесуточная температура.	Растение вытягивается в высоту. Междоузлия длиннее.
Низкая среднесуточная температура.	Растение компактное. Междоузлия короче.

В ясные ночи, когда происходит большое излучение из теплицы, ночную температуру можно повысить на 1°С. Это поможет избежать получения слишком низкорослых растений с очень низким положением первой цветочной кисти.

Идеальным положением первой цветочной кисти считается её расположение между 9-м и 10-м листом. На высоту расположения первой цветочной кисти влияют два фактора: температура и освещённость. Чем больше света, тем ниже расположена первая кисть. Более низкая температура в первые две недели выращивания рассады также приводит к более низкому положению первой кисти на растении. В последнем случае испарение может быть недостаточным, поэтому температура воды в трубах должна быть выше 50°С. Это будет способствовать испарению, но также вызовет необходимость вентиляции для поддержания более низкой температуры.

Освещение во время выращивания рассады

При недостатке естественного освещения, дополнительное освещение позволяет получить более мощное растение с более короткими междоузлиями. Для удобства и экономии дополнительное освещение обычно применяется перед высадкой рассады, при таком подходе можно освещать большое количество растений с помощью небольшого числа ламп.

При использовании дополнительного освещения, оно должно применяться максимум в течение 18 часов в сутки. Применение искусственного освещения также немного сдвинет срок посадки на более раннюю дату. Растения томатов нуждаются минимум в 6 часах темноты в сутки. Начинайте с ночь естественным путем, избегайте внезапного затемнения при использовании искусственного освещения.

Обогащение СО₂во время выращивания рассады

Двуокись углерода поглощается устьицами растений. Ее подают в теплицу ежедневно, по истечении нескольких дней с момента посева. Обычно СО₂ можно начинать подавать через час после наступления темноты и прекращать подачу за час до рассвета. При достаточном освещении, СО₂ можно подавать с рассвета до наступления темноты. Наиболее распространённым методом распределения СО₂ является впуск выхлопных газов от нагревательной установки по перфорированным трубам из мягкой пластмассы между рядами растений. Ввиду того, что СО₂ тяжелее окружающего воздуха, он будет распространяться в нижней части теплицы.

Конденсатор охлаждает СО₂-содержащие газы, выбрасываемые выхлопом нагревательной установки. Для распределения СО₂ по теплице необходимы дополнительные вентиляторы. Концентрация СО₂ в тепличной атмосфере поднимается до 600-700 частей на миллион (0,06-0,07%), примерно в два раза превышая его содержание в наружном воздухе. Для поддержания СО₂ на достаточном уровне необходимо проводить регулярные замеры с помощью надёжного оборудования в начале обогащения атмосферы теплицы СО₂ и периодических проверок в последующий период.

Возделывание

Обычно выращивание томатов начинают со сбалансированного в плане вегетативного развития растения. Нормальное растение в начале культуры должно обладать следующими общими характеристиками:

· под первой цветочной кистью должно быть 9-10 листьев;

· цветочная кисть должна быть правильной формы и иметь короткую цветоножку;

· цветочная кисть должна быть обращена книзу;

· междоузлия должны быть правильно расположены (средняя длина – 5-7см, в зависимости от сорта).

· стебель растения не должен быть слишком толстым, но и не тонким.

Доставка растений

Полив рассады незадолго до транспортировки из рассадника может привести к ломкости растений и риску их повреждения. Будьте очень осторожны при транспортировке рассады. Молодые растения очень чувствительны к резким изменениям температуры и к сквознякам. Во избежание контакта растений с окружающим воздухом во время транспортировки накрывайте лотки с рассадой полиэтиленовой пленкой. При транспортировке растения предпочтительно держать в вертикальном положении. В теплице подготовьте всё необходимое для того, чтобы пересадка прошла как можно быстрее и успешнее.

Подготовка теплицы

В целях экономии топлива и поддержания необходимой температуры конструкция теплицы, в которую будет производиться пересадка рассады, должна быть как можно более устойчивой к изменениям погодных условий. Помещение теплицы следует тщательно убрать и продезинфицировать. После возделывания культуры произведите опрыскивание крыши и фронтонов теплицы чистой водой (возможно с добавлением дезинфицирующего раствора). При выращивании в почве необходимо произвести дезинфекцию паром или с использованием метилбромида.

Чтобы температура в теплице к моменту посадки достигла необходимого уровня, начните её обогрев за день–два до поступления рассады. Температура почвы должна составлять минимум 16°С.

Почву необходимо выровнять. Ее можно накрыть белой полиэтиленовой пленкой для защиты от сорняков и улучшения отражения света. В силу своего эффекта отражения света эта мера будет также способствовать усилению генеративного развития растения. Частичное накрывание почвы полиэтиленовой плёнкой будет положительно влиять на влажность в теплице.

Проведите анализ почвы и примите соответствующие меры для обеспечения достаточного содержания в ней питательных веществ.

Убедитесь в том, что теплица готова к приёму растений. Это означает, что стёкла должны быть чистыми, помещение теплицы тщательно убрано, почва продезинфицирована и структурирована, посадочные лунки подготовлены, а средства полива смонтированы и хорошо функционируют.

Посадка

Посадку растений можно производить тогда, когда рассада обладает выше описанными характеристиками. В случае выращивания в почве посадку лучше начать сразу после доставки растений. Старайтесь не повреждать корни во время посадки. Почвенные кубики с рассадой помещайте в почву теплицы таким образом, чтобы их верхняя поверхность была на 1-2см выше уровня почвы во избежание контакта стебля растения с тепличной почвой и для предотвращения заражения. После посадки растений, их следует полить водой, электропроводность (солёность) которой составляет 3-5мс/см (в зависимости от сорта, размеров растения и времени года). Растения следует поливать снизу во избежание повреждения листьев ожогом. Это можно сделать с помощью шланга или капельного орошения.

Важно, чтобы растения характеризовались хорошо сбалансированным вегетативным и генеративным развитием. Убедитесь в том, что корни не проникают слишком глубоко в подпочву, что приводит к усиленному вегетативному росту, который очень трудно регулировать. Это обычно достигается путём полива растений водой с относительно высокой солёностью.

Шаг посадки

Средняя густота посадки для раннеспелых культур составляет 2,4 растения на м². Ведущие культуры, выращиваемые в условиях лучшего освещения, можно располагать с плотностью 2,25-2,50 растений на м². Стандартное расстояние между двумя рядами растений составляет 70см, а между пешеходными дорожками - 90см. Расстояние между растениями в ряду обычно составляет 50-55см.

Принято оставлять дополнительные боковые побеги во время декабрьской посадки. Это делается в то время, когда 6-я цветочная кисть находится в процессе развития. Такой метод позволяет увеличить густоту стояния растений при улучшении освещения. Обычно боковой побег оставляют на каждом четвёртом растении. Используйте дополнительную нитку другого цвета для поддержки вновь созданной верхушки. При достаточном освещении ещё одну дополнительную верхушку можно создать на уровне 10-й цветочной кисти.

Верхушку главного стебля обвивают вокруг новой нити, а боковой побег пойдёт по старой нити. При таком способе обе верхушки будут расти на одной высоте.

В дальнейшем, когда условия освещения ухудшаются, верхушки дополнительных боковых побегов необходимо удалить. Это снизит плотность стояния растений.

Поддержка и ведение кустов/побегов

Культуры с длинным вегетационным периодом растут вдоль толстой нити до металлической проволоки (на высоте минимум 3м). На этой высоте растения должны прикрепляться к проволоке с помощью катушки. Всякий раз, когда верхушки растений достигают проволоки, растения немного опускают, а верхушку главного стебля сдвигают немного в сторону путём плавного перемещения катушки по проволоке. Во избежание грибковой инфекции каждый год используйте новые нити.

Расстояние между металлическими проволоками должно быть, по меньшей мере, 80см, чтобы обеспечить достаточное освещение верхушек растений. Прикрепляйте растения к нитке под 2-м и 3-м листом. Мы рекомендуем ведение растений под наклоном. Преимущество этого способа заключается в том, что растения при этом не растут в направлении середины пешеходной дорожки, что приводило бы к повреждению плодов при прохождении сборщиков урожая мимо растений. Когда растения растут с наклоном в одну сторону, они будут оставаться в таком положении, и все кисти будут свисать на одну сторону.

Во время возделывания все главные стебли будут лежать на почве с подпоркой под ними. Такую подпорку можно легко изготовить, воткнув в почву сегменты металлической проволоки в виде "остиков" Такая система опускания растений положительно сказывается на качестве плодов (лучше окраска плодов, более прохладные плоды в летний период) и облегчает работу с культурой.

В большинстве случаев верхушки растений следует обвивать вокруг направляющих нитей раз в неделю. Между двумя кистями следует навивать один виток нити. В то же время можно опустить ниже катушку. При обвивании верхушек вокруг направляющих нитей убедитесь в том, что растение не слишком туго переплетено с нитью и что поворачивайте верхушки по часовой стрелке. Если верхушки поворачивать против часовой стрелки, то нить будет мешать растению при повороте верхушки вслед за солнцем.

У крупноплодных сортов поддержка кистей благоприятно сказывается на развитии плодов. Она позволит избежать сгибания первых 8 кистей и, соответственно, помех в развитии плодов. Существует несколько распространённых методов поддержки:

- использование небольших нейлоновых зажимов, которые накладываются на ножку цветочной кисти, чтобы избежать её сгибания.

- скобление ножом ножки цветочной кисти. Это вызовет образование каллусной ткани и, следовательно, укрепит ножку.

- сгибание кисти через небольшой круглый предмет (палочку или карандаш). Это также вызовет образование каллусной ткани.

- использование аптечных резинок (колец) для поддержания кисти на стебле.

Температура и вентиляция

Температура оказывает большое влияние на рост растения и развитие плодов на протяжении всего жизненного цикла культуры. Она также сильно влияет на такие показатели как число цветков, размеры, форма и окраска плода, роста растения и созревания плодов. Поэтому необходимо осуществлять тщательный контроль за температурой. Очень важно также постоянно поддерживать однородные условия вместо значительных колебаний температуры, влажности, полива и т.п.

Ниже приводятся значения температуры, которые рекомендуется поддерживать после посадки растений:

Ночная температура:	16-18°С
Дневная температура:	18-20°С
Температура почвы:	18°С (в зоне корневой системы)

Среднесуточная температура должна быть скоррелирована с состоянием растения и с количеством доступного света (освещённостью). Когда растение слишком тяжёлое, среднесуточная температура должна быть выше. Повышать температуру можно только при наличии достаточного освещения, причём эту повышенную температуру следует поддерживать дольше в утренние часы, чтобы добиться желаемого эффекта.

При использовании вышеуказанного температурного режима в сочетании с обогащением СО₂ можно ожидать, что посаженные в ранние сроки культуры начнут плодоношение через 8 недель после посадки. Чтобы добиться хорошей циркуляции воздуха в теплице, а также предотвратить поражение растений различными видами плесени, рекомендуется иметь 5 нагревательных труб диаметром 51мм на пролёт теплицы длиной 3.2м: 4 внизу и 1 на высоте примерно 3м. Использование вентиляторов также поможет добиться хорошей циркуляции воздуха. Высоко расположенная труба должна быть подсоединена к отдельному нагревательному циклу, чтобы была возможность регулировать в ней температуру воды отдельно от расположенных внизу труб. Это очень важно, поскольку эта верхняя труба будет обогревать верхушки растений, способствуя разрыхлению (и осыпанию) пыльцы, созреванию плодов и улучшению испарения влаги с растения.

Минимальная температура, как для нижней, так и для верхней нагревательной системы зависит от температуры за пределами теплицы (вообще она составляет 35-55°С). Когда температура в нижней части растения относительно низкая по сравнению с таковой в верхней части растения, на плодах могут появиться вдавливания и трещины, вызванные слишком высоким корневым давлением (силой корневого всасывания). Всегда изменяйте температуру постепенно. При очень быстром нагреве растения на плодах могут образоваться трещины.

В начале возделывания распространённой практикой является использование “предночных температур”. В этот период времени – между 18:00 и 24:00ч температура будет ниже, чем после 24:00 часов. Применение этого метода способствует вегетативному развитию растения, что приводит к формированию мощных первых кистей. Когда верхушка растений слишком тонкая, несколько часов низкой температуры в предночной период будут способствовать развитию мощного растения. Не понижайте температуру ниже уровня 15°С и понижайте её постепенно.

Понижение температуры в предночной период будет также влиять на размер плодов: плоды будут крупнее.

Вообще, слишком низкие температуры будут препятствовать поглощению питательных веществ, тормозя развитие растения. Признаком этого часто является пурпурная окраска стебля или нижней поверхности листьев.

Полив

Регулярный полив растений начинается сразу после посадки. Для поддержания водного режима растения необходимо поливать часто и небольшими количествами воды. Полив культуры производят снизу. Для равномерного распределения воды лучше всего использовать метод капельного орошения. При использовании полива по бороздам лучшего распределения воды можно легко добиться применением перфорированных пластмассовых труб, концы которых упираются в борозды и закрыты. Подсоединение поливного шланга к одному концу такой трубы обеспечит более равномерное распределение воды вдоль всей борозды.

Полив производят с учётом испарения, солнечной радиации, структуры почвы, мощности культуры, вентиляции и т.п. Сам овощевод должен принимать правильное решение относительно сроков и нормы полива и удобрений. Для полива всегда используйте воду с температурой выше 15-16°С.

При поливе растений уровень содержания питательных веществ в почве, особенно азота, будет быстро снижаться. При поливе, в качестве основы используйте чистую воду. Очень широко распространенно использование для этой цели дождевой воды. В зависимости от результатов анализа почвы в воду добавляют питательные элементы.

Контроль за влажностью

Необходимо поддерживать жизнедеятельность и испаряющую способность растений. Вентиляция очень важна, поскольку позволяет избегать высокой влажности и конденсации влаги на растения, которые способствуют развитию многих болезней, особенно серой гнили (Botrytis) и бурой пятнистости листьев томата (Cladosporium). Оптимальная относительная влажность лежит в пределах 65-75%. В этом диапазоне влажности завязывание плодов оптимальное. Старайтесь избегать относительной влажности ниже 50%, так как это будет приводить к тому, что растения будут твёрдыми и волокнистыми.

Считается желательным действовать, руководствуясь одним из двух или обоими нижеуказанными принципами:

а) Чуточку приоткройте окна теплицы для вентиляции днём и, при необходимости, ночью.

б) Поддерживайте минимальную температуру в нагревательных трубах днём и ночью. Её регулируют с помощью термостата в сливном трубопроводе и устанавливают на уровне 30-45°С, в зависимости от погодных условий. Ввиду дороговизны топлива, тепло от нагревательного трубопровода для регулирования влажности и борьбы с болезнями следует использовать только в том случае, когда действий, изложенных в пункте а), для этого недостаточно.

При вентилировании всегда открывайте окна на стороне, противоположной направлению ветра, так как возникающий при этом "эффект вытяжной трубы" будет обеспечивать хорошую вентиляцию теплицы.

Питание растений

Отсутствие правильного соотношения между уровнями карбоната кальция и pH может вызвать вершинную гниль плодов томата или неравномерное созревание плодов. Низкие уровни карбоната кальция и приводят к восприимчивости растений к вершинной гнили плодов. Вершинная гниль плодов томата может также возникать при низких уровнях кальция и слишком высокой концентрации соли. Высокие уровни калия будут также препятствовать поглощению кальция.

Низкая концентрация соли в почве вызывает неравномерное созревание плодов, особенно при высоком уровне кальция. При следующих уровнях карбоната кальция и pH нет необходимости в известковании:

е	Карбонат кальция, %	pH воды
Песок	0,3	6,2
Песчаная глина	0,4	6,5
Речная глина	0,3	6,5
Морская глина	0,5	6,7
Глина + торф	0,2	6,3
Торф	-	5,5

Когда уровни pH и карбоната кальция ниже указанных значений, рекомендуется производить известкование почвы. Часто используемые для этой цели удобрением является известковый туф.

Уровни Fe и Al должны быть низкими. Высокие уровни этих химических элементов означают, что pH почвы слишком низок или что соотношение воды и воздуха в почве не удовлетворительное. При использовании хлевного навоза принимайте во внимание испарение аммиака (NH₄), который вызывает повреждения у растений. Хлевный навоз следует хранить во влажном состоянии и вентилировать во избежание накопления аммиака.

Обычно применяется внекорневая подкормка. В большинстве случаев, раз в неделю опрыскивают раствором магния и бора (буры). При опрыскивании растений пользуйтесь наконечниками, обеспечивающими тонкое распыление, и опрыскивайте над верхушками растений. Бура будет также положительно влиять на прочность удержания кистей на растении, а магний - способствовать предупреждению вершинной гнили плодов. Ещё одним широко используемым удобрением для некорневого питания является Algan. Это удобрение содержит азот и микроэлементы в достаточных (хорошо сбалансированных) концентрациях.

Сбалансированное развитие растения

Очень важно постоянно поддерживать сбалансированность генеративного и вегетативного развития растения. При слишком высокой степени генеративного развития растения плоды будут потреблять слишком много энергии, что может отрицательно сказаться на продуктивности и урожайности в будущем. С другой стороны, при сдвиге в сторону вегетативного роста растение будет чрезмерно мощным, что приведёт к снижению урожайности. Растения должны развиваться сбалансировано, активно расти и постоянно ассимилировать доступные питательные вещества. Этого можно добиться путём регулирования температуры, влажности, вентиляции, СО₂, освещения, числа плодов на растении, листьев, а также содержания доступных питательных веществ в почве.

Постоянно уделяйте пристальное внимание верхушкам растений томата. Верхушки растений должны быть соответствующей толщины и формы и они должны иметь слегка пурпурную (лиловую) окраску. Это будет указывать на наличие достаточной энергии роста. В начале дня растения должны быть сильными (здоровыми), а листья – прямостоящими (не поникшими). К концу дня листья должны быть скрученными, что указывает на то, что в растении целый день активно протекали процессы жизнедеятельности. Если эти процессы протекали в растении недостаточно активно, наиболее распространённым методом в этом случае является незначительное повышение температуры во второй половине дня с целью улучшения испарения и стимуляции растения.

В большинстве случаев возделывание следует начинать с растения с высокой степенью вегетативного развития. Для того, чтобы заложить хорошую основу сбалансированной продуктивности сначала необходимо получить мощное растение. В общем можно сказать, что растение томата имеет по 15 листьев и по 7-8 кистей с плодами на растение. Образование одной новой кисти в неделю считается нормальной частотой. При правильном развитии растения у него должно иметься по три листа между кистями. Растение сильно нагружено, когда на нём цветёт 8-11-я кисти. На этой стадии избегайте усиления генеративного развития растений.

Если растение развивается несбалансированно, следует принять корректирующие меры. Всегда вносите незначительные поправки и постепенные изменения. Реакция растения будет заметна через несколько дней.

Признаки, свидетельствующие о чрезмерном вегетативном развитии

При усиленном вегетативном развитии растения могут наблюдаться следующие особенности:

1. Относительно небольшое количество плодов на растении.

2. Низкая масса плода, учитывая особенности данного сорта.

3. Верхушка растения слишком большая. Верхняя цветочная кисть расположена слишком низко, и над кистью слишком много листьев. Обычно над верхней кистью расположено три листа, что составляет примерно 15см. (в зависимости от сорта) (т.е. верхняя кисть расположена на 15см. ниже верхушки; прим. пер.)

4. Цветочные кисти слишком длинные и неоднородные по форме.

5. На растениях не формируются плоды правильной формы, могут встречаться очень крупные, "королевские" плоды.

6. Плохое завязывание плодов.

7. На верхушке кисти могут образовываться листья или боковые побеги.

8. Стебли более густо опушённые.

Меры, корректирующие развитие растения в направлении генеративного роста:

При чрезмерном вегетативном развитии растения следующие меры помогут сдвинуть баланс развития в пользу генеративного роста:

1. Увеличьте разность между дневной и ночной температурой. Повышайте температуру в послеполуденные часы для стимуляции растения (до 25°С при наличии достаточного освещения). Затем постепенно снижайте температуру до 16-18°С. в предночной период. Такое изменение температуры будет стимулировать генеративное развитие.

2. Снижение относительной влажности. Усиление вентиляции и обогрева теплицы снизит уровень влажности, и будет стимулировать генеративное развитие растений. Не понижайте влажность ниже уровня 65%, поскольку это может снизить эффективность опыления.

3. Удаление листьев. Помимо обычного удаления листьев в нижней части растения, можно удалить небольшой лист с верхушки растения, если у него наблюдается чрезмерное вегетативное развитие.

4. Меньшая обрезка цветков в кистях. Давайте возможность большему количеству плодов развиваться на растении, оставляя больше цветков в кистях. Производите обрезку позднее, на стадии маленьких плодов.

5. Повышение содержания питательных веществ в почве или субстрате. Незначительное повышение электропроводности (солёности) будет стимулировать генеративное развитие растений. Более высокие уровни калия будут также положительно влиять на качество плодов.

Признаки, свидетельствующие о чрезмерном генеративном развитии:

При усиленном генеративном развитии растения могут наблюдаться следующие особенности:

1. Относительно большое количество плодов на растении.

2. Высокая масса плода, учитывая особенности данного сорта.

3. Верхушка растения слишком тонкая и маленькая. Положение верхней цветочной кисти очень высокое: верхушка растения расположена (в зависимости от сорта) менее чем в 15см над верхней цветочной кистью.

4. Завязывание плодов протекает легко.

Меры, корректирующие развитие растения в направлении вегетативного роста:

При чрезмерном генеративном развитии растения следующие меры помогут сдвинуть баланс развития в пользу вегетативного роста:

1. Скорректируйте температурный режим. Уменьшите разность между дневной и ночной температурой и снизьте среднесуточную температуру. Это будет способствовать усилению вегетативного роста.

2. Повышение относительной влажности максимум до 80%. Уменьшение вентиляции или полив почвы будет повышать влажность, приводя к усилению вегетативного роста. Обратите внимание на то, что повышение влажности будет также способствовать развитию грибковых болезней.

3. Обрезка цветков в кистях. Это очень важная мера. Когда на растении слишком много плодов, они не смогут все развиться в полной мере, и растение будет характеризоваться чрезмерным генеративным развитием. Обрезку цветков производят до того, как они раскроются. Для стимуляции вегетативного роста необходимо удалять цветочные почки. Обычно в зависимости от сорта, в кисти оставляют 5-6 цветков. При наличии в кисти большего числа цветков, самые мелкие из них отщипывают рукой или срезают ножницами. Не удаляйте цветки из первых трёх кистей. Кроме того, регулярно окунайте ножницы в молоко для предупреждения вирусной инфекции.

4. Повышение густоты стояния растений. Этого можно добиться, оставляя на растении боковые побеги, чтобы получить больше верхушек. Эта мера будет эффективной только в тех случаях, когда ожидается усиление вегетативного роста.

5. Снижение содержания питательных веществ в почве или субстрате. Незначительное понижение электропроводности (солёности) будет стимулировать развитие корневой системы, и способствовать усилению вегетативного развития растения. Убедитесь в наличии достаточной концентрации доступного для растения азота.

Покрытие теплицы мелом будет частично препятствовать прохождению солнечной радиации. Это также будет способствовать усилению вегетативного роста. Однако, использование мела как реакция на чрезмерное генеративное развитие оправдано только в тех случаях, когда другие меры не оказывают должного эффекта.

Затенение стёкол

Во избежание перегрева теплицы в летнее время можно натереть стёкла мелом. Этот метод следует использовать только при избыточной солнечной радиации и в тех случаях, когда интенсивной вентиляции не достаточно для понижения температуры, поскольку любое уменьшение освещения обычно снижает урожайность культуры.

Замечание: Никогда не покрывайте мелом всю теплицу. При выращивании в летний период в условиях жаркого климата рекомендуется покрывать мелом только южную сторону верхней части теплицы и нижние два метра боковой части. Эта мера позволит защищать растения от интенсивной солнечной радиации в полдень, в то время как достаточно света будет попадать в теплицу утром и в послеполуденные часы.

Удаление боковых побегов (пасынкование)

Необходимо удалять боковые побеги, а верхушки растений следует обвивать вокруг направляющих нитей раз в неделю. Не поворачивайте верхушку вокруг нити, когда она ещё сравнительно мала. Обязательно поворачивайте верхушку по часовой стрелке, чтобы избежать "удавливания" растений, когда верхушки растений будут поворачиваться за солнцем.

При пасынковании убедитесь, что боковой побег удалён полностью, чтобы избежать риска заражения серой гнилью.

Удаление листьев

На ранних стадиях выращивания старые и повреждённые листья в нижней части растения следует удалять для улучшения циркуляции воздуха и снижения риска заражения растений серой гнилью. Нормальной частотой удаления листьев считается срывание 2-3 листьев в неделю.

Можно руководствоваться следующим принципом: при сборе урожая с первой кисти листья должны быть удалены до второй кисти. При таком подходе кисти будут хорошо видны и не будут затенены. Вообще, на растении всегда должно быть минимум 15 листьев для обеспечения хорошей ассимиляции питательных веществ и роста.

Лучше всего удалять листья ранним утром, когда тургор хороший и листья легко отрываются. Ещё одним преимуществом удаления листьев в утренние часы является то, что у образовавшейся раны в течение дня будет достаточно времени, чтобы высохнуть, что позволит избежать грибковой инфекции.

Для максимального уменьшения размера раны листья следует удалять движением кверху. Когда листья отрываются с трудом, следует пользоваться ножом. При пользовании ножом, во избежание вирусной инфекции не забывайте дезинфицировать нож молоком.

Впоследствии иногда необходимо удаление большего числа листьев (для стимуляции генеративного развития), но и в этом случае нужно сделать всё для того, чтобы сохранить максимальное количество здоровых листьев и оставить не менее 1,5м верхней части стебля покрытыми листвой.

Не оставляйте срезанные листья и боковые побеги в теплице. Их надо собрать и удалить из теплицы. Растительные остатки, оставляемые на почве, могут быть источником инфекции, особенно грибковых заболеваний.

Обогащение СО₂

Концентрация СО₂ в окружающей атмосфере обычно составляет приблизительно 340 частей на миллион. В отсутствие вентиляции нормальная концентрация двуокиси углерода в теплице будет понижаться вследствие поглощения её растениями через устьица. СО₂ также выделяется органическим материалом почвы, но в недостаточных для растения количествах. Слишком низкая концентрация СО₂ в теплице будет приводить к прерывистому росту.

Усиление вентиляции позволит повысить концентрацию СО₂. Однако, оптимальная концентрация СО₂ составляет 800-1000 частей на миллион, и её можно добиться только искусственным дозированием. Обычно это осуществляется путём рециклинга (повторного использования) выхлопа от нагревательной установки, пропускаемого через конденсатор. Интенсивность поглощения СО₂ активно растущей культурой томата может достигать 50кг/час/га, что эквивалентно количеству СО₂, выделяемому при сгорании 25м³ природного газа. Для замера концентрации СО₂ пользуйтесь хорошим СО₂-расходомером (дозатором).

Будьте осторожны и избегайте неполного сгорания газа, так как это может приводить к выделению окиси углерода (СО) и этилена. Приобретение СО-детектора будет хорошим вкладом, позволяющим предотвратить повреждение СО и этиленом. Регулярно, но не реже одного раза в год, производите осмотр и регулировку нагревателя.

Обогащение СО₂ производят ежедневно, по истечении нескольких дней с момента посадки, начиная его подачу через час после рассвета и прекращая за час до наступления темноты. Наибольшая потребность в СО₂ наблюдается во время высокой солнечной радиации.

При подаче СО₂ следует учитывать погодные условия. В безветренную погоду следует ожидать выше, чем средней концентрации СО₂ и ниже среднего уровня в ветреную погоду. Имейте в виду, что вентиляция важнее, чем впуск СО₂! Приоткрывание окон на 1см на противоположной направлению ветра стороне обеспечит достаточную вентиляцию для пополнения СО₂ в теплице.

В Голландии широко распространено использование изолированных резервуаров для хранения тёплой воды. Это позволяет вырабатывать СО₂ в дневное время путём нагревания воды с использованием природного газа. Горячая вода будет храниться в резервуарах для последующего использования в ночное время, когда требуется обогрев теплицы. Этот подход позволяет также экономить энергию, поскольку производительность нагревательной установки при этом используется наиболее оптимально.

Обрезка цветков в кистях (прореживание)

Обычно обрезка цветков необходима для поддержания хорошей сбалансированности развития растений. Оставшиеся плоды будут крупнее и однороднее. В большинстве случаев применимо следующее правило: В первой и второй кистях после обрезки должно остаться по 5плодов (цветков), а в остальных кистях следует оставлять по 6 плодов.

На развитие цветков растение расходует значительную энергию, поэтому удаление лишних цветков следует производить тогда, когда цветочная кисть ещё мала и плоды не достигли полного развития. Это процедура, требующая высокой точности, и она должна выполняться преданными своей работе людьми.

Первый цветок в кисти может развиться в плод крупных размеров (king fruit). Такие цветки следует удалять. Когда ещё появляются “королевские” плоды, растения обнаруживают усиленное вегетативное развитие. Это нарушение может также быть результатом резкого падения температуры на стадии выращивания рассады. Удалите плохо опылённые цветки.

Увлажнение

Увлажнение позволяет охладить растение в условиях сильной жары, уменьшить водный стресс и предотвратить слишком интенсивное испарение. Увлажнение можно проводить в светлые солнечные дни, когда уровень относительной влажности сильно понижается.

Разбрызгивайте воду рукой над верхушками растений. Разбрызгивание в виде крупных капель также стимулирует опыление. Выбирайте время увлажнения таким образом, чтобы растения успели высохнуть до наступления темноты. Процедуры увлажнения следует проводить на протяжении как можно более длительного времени, но их следует прекращать, если возникает проблема грибковых заболеваний.

Завязывание плодов

С момента завязывания плодов до сбора урожая в весеннее время проходит 55-60 дней. После того как пыльца достигает пестика, до опыления проходит 3-5 часов. Общее время развития от стадии цветка до зрелого плода составляет приблизительно 8недель.

Оптимальными условиями для процесса опыления являются температура 25°С и влажность 65-75%.Опыление можно производить следующими способами:

- с использованием шмелей;

- с применением механических вибраторов;

- с использованием гормонов;

- путём разбрызгивания воды над верхушками растений.

Наиболее эффективным способом опыления является использование шмелей. При использовании вибраторов, для высвобождения пыльцы необходимо коснуться всех цветков вибрирующей иглой. Виброопыление обычно проводят 2-3 раза в неделю, как правило, утром, после сбора урожая. Вибрации растений можно также добиться с помощью разбрызгивания воды, но предпочтительно пользоваться вибраторами. Для разбрызгивания используйте воду, температура которой не менее 16°С, и разбрызгивайте её над верхушками растений в виде относительно крупных капель.

Гормонами следует пользоваться только в тех случаях, когда условия в теплице не очень благоприятны для высвобождения пыльцы. Чаще всего используется гормон хлорфеноксиуксусная кислота (Tomatone) в дозе 2% на 10л воды. Этого количества раствора будет достаточно для обработки приблизительно 1000-1500 кистей. Не смачивайте всю цветочную кисть обильно раствором и не допускайте попадания раствора на листья. Лучше всего для этой цели использовать небольшой ручной опрыскиватель и при нанесении раствора на цветочную кисть, она должна располагаться перед ладонью руки (т.е. ладонью отгораживать её от листьев: примечание переводчика).

Сбор урожая

Полезно производить сбор плодов 3-4 раза в неделю. Всегда делайте это утром, поскольку в это время плоды обладают наибольшей массой и наилучшим качеством. При сборе урожая в начале года плоды можно снимать при наличии хоть незначительной окраски. Весной и осенью созревание плодов происходит медленнее, поэтому плоды следует снимать на стадии более красной окраски, чем в летний период.

Во избежание повреждения плодов, используйте коробки или корзины с листами пенопласта или резины внутри. По возможности ставьте коробки на небольшую тележку, что облегчает сбор урожая и приводит к меньшему повреждению плодов. Оптимальная температура хранения плодов колеблется от 12 до 13°С.

Анализ и измерения

Мы настоятельно рекомендуем использовать в теплице несколько растений–индикаторов. Производите на них регулярные замеры размеров растения и регистрируйте количество удалённых листьев и число кистей, с которых производился сбор плодов. Кроме того, принимая корректирующие меры, никогда не делайте этого в отношении теплицы. Сначала попробуйте сделать это в отношении части теплицы, чтобы проверить эффект принимаемой меры.

Мы рекомендуем регистрировать результаты наблюдений за следующими признаками и процессами:

1. Цветение. Какой цветок в кисти цветёт каждую неделю.

2. Длина листьев. Измеряйте длину листьев под цветущей кистью.

3. Длина растения. Еженедельно регистрируйте рост растения.

4. Число плодов на растении. Регистрируйте как собранные плоды, так и оставшиеся на растении.

В случае возникновения проблем, данные наблюдений за температурой, влажностью, вентиляцией, нормой полива можно сравнивать с развитием растения. Таким образом, можно проследить причину возможных проблем, и овощевод получит лучшее представление о характере возникшей проблемы.

Пронумеруйте дорожки и ведите учёт мест, где встречаются поражённые болезнью растения. Кроме того, вовлекайте в этот процесс работников теплицы, информируйте их о возможных проблемах, поощряя их стремление сообщать об этих проблемах!

Завершение возделывания культуры

При приближении завершающей стадии выращивания культуры принято удалять с растения точку роста (верхушку побега) на 2 листа выше самой верхней цветочной кисти. Верхушку удаляют, по меньшей мере, за 7 недель до ожидаемой даты удаления культуры из теплицы.

После удаления верхушки растения снова надо обвить вокруг направляющей нити. В это же время следует удалить боковые побеги. В последующие недели верхушку не следует трогать. Появляющиеся боковые побеги нужны для поддержания процессов жизнедеятельности и сокодвижения в растении. По истечении нескольких недель, большинство из боковых побегов можно удалить с верхушки растения. Всегда оставляйте один побег на верхушке растения для стимуляции сокодвижения. Когда этот побег достаточно большой, его следует удалить, за исключением двух листьев. Над самой верхней кистью всегда должны оставаться два листа и один боковой побег.

За 5-10 дней до последнего сбора урожая можно покрасить стебель этиленом. Этот гормон способствует ускорению созревания оставшихся на растении плодов.

После того как будут сняты последние плоды, удалите растительные остатки из теплицы. Помещение теплицы следует тщательно убрать, почву продезинфицировать, после чего можно готовить теплицу для выращивания следующей культуры.

Гидропонная культура томата

Цель нижеследующего описания заключается в том, чтобы дать основные сведения по выращиванию томатов на минеральной вате. Мы не задавались целью приведения исчерпывающей информации, а хотим дать некоторые советы, которые могут послужить полезным дополнением к практическим знаниям овощевода.

Предлагаемая информация основана на опыте выращивания томатов в Голландии. Хотя эта брошюрка написана с учётом новейшей информации, в этой области, мы не берём на себя никакой ответственности в том случае, если ожидаемые результаты не будут получены. Более того, мы не гарантируем получения одинаковых результатов в различных условиях окружающей среды. Выращивание в условиях любой другой страны мира может потребовать иной интерпретации предлагаемых рекомендаций.

Посев и посадка

В большинстве случаев посев производят в кассеты для рассады с кубиками из минеральной ваты. Когда растения достаточно большие, чтобы с ними можно было “работать“, обычно спустя 10-12 дней, рассаду можно пересаживать. При посадке в кубиках из минеральной ваты принято помещать кубики вверх дном на плиты (тоже из минеральной ваты). При таком способе посадки растение будет короче, и иметь более прямостоячий габитус. Кроме того, стебель саженца будет в большей мере соприкасаться с плитой, в результате чего будут образовываться дополнительные корни, и растение в итоге будет мощнее. Во избежание риска повреждения растений, не поливайте кубики из минеральной ваты с рассадой за день до пересадки, чтобы растения не были твёрдыми и ломкими.

Качество поливной воды

Поливная вода, которая обычно содержит определённое количество химических элементов, должна отвечать стандартам (критериям) высокого качества. Во-первых, необходимо определить содержания в ней натрия и хлорида, а также её электропроводность (Е.С.). Определённое значение может также иметь содержание в воде магния, кальция, цинка, железа и бикарбоната (в связи с рН). Для оценки поливной воды можно использовать два стандарта. Первый стандарт соответствует более или менее идеальной ситуации, в то время как второй стандарт требует внесения определённых изменений в состав питательного раствора. Превышение стандарта 2 означает, что поливная вода будет отрицательно влиять на растения. По этой причине такую воду не следует использовать для полива при выращивании рассады на минеральной вате. В приведенной ниже таблице описаны эти стандарты.

Оцениваемый параметр	Стандарт 1 (хорошая вода)	Стандарт 2 (пригодная вода)	Непригодная
Е.С. в мс/см	< 0,5	< 1,0	> 1,0
Cl в ммоль/л	< 1,5	< 3,0	> 3,0
(в мг/л)	(< 50)	(< 100)	(> 100)
Na в ммоль/л	< 1,5	< 3,0	> 3,0
(в мг/л)	(< 30)	(< 60)	(> 60)

Использование воды с более высоким содержанием натрия и хлорида может приводить к снижению урожайности. Более того, потребуется слишком много питательного раствора для промывания плит из минеральной ваты, чтобы избежать слишком большого накопления соли. Это приводит к большим потерям удобрений. Использование воды, содержащей бикарбонат (HCO₃^–), в конечном итоге будет приводить к повышенным уровням рН в плите. Этот эффект можно нейтрализовать применением селитры или фосфорной кислоты. Чем выше концентрация бикарбоната, тем больше кислоты надо добавлять. Общий показатель железа (Fe) не играет важной роли в питании растения, но он имеет отношение к загрязнению и засорению системы капельного орошения. Содержащая железо вода (цвета ржавчины) не может быть использована для полива, пока из неё не будет должным образом удалено железо. Если присутствующее в воде железо легко оседает на стенках труб, даже такая низкая концентрация его как <0.5мг/л может вызвать закупорку отверстий системы капельного орошения.

С точки зрения питания растений, общее содержание железа могло бы быть и выше, поскольку форма, в которой железо присутствует в поливной воде, делает его практически недоступным растению (в отличие от растворимого железа, содержание которого определяют в питательных растворах).

Количества различных химических элементов может значительно колебаться. В тех случаях, когда эти количества превышают верхний предел допустимой концентрации, необходимо будет проводить дополнительное промывание в процессе выращивания культуры. Слишком высокое содержание этих элементов может приводить к явлению избыточности. Согласно стандартам, которым должна отвечать поливная вода, большинство рассадников нуждается в дождевой воде (хранящейся в резервуарах) или опреснённой (путём обратного осмоса) воде. Лишь несколько рассадников имеют грунтовую воду или воду из открытых водоёмов приемлемого качества. Для определения пригодности поливной воды или для внесения изменений в состав питательного раствора, учитывающих содержание определённых солей в поливной воде, необходим обширный анализ поливной воды.

Питательный раствор

Минеральная вата практически не содержит питательного вещества, поэтому необходима постоянная капельная подача питательного раствора. Практикуемая здесь система выращивания не влияет на состав питательных растворов, при условии, что дренажная вода не используется повторно, а ей позволяют свободно стекать с плит из минеральной ваты. Ниже приводится основной состав питательного раствора:

Макроэлементы	Количество
NO₃^-	13.5 mmol/l
H₂PO₄^-	2.0 mmol/l
SO₄^-	3.5 mmol/l
NH₄⁺	0.5 mmol/l
K⁺	9.5 mmol/l
Ca⁺⁺	4.75 mmol/l
Mg⁺⁺	1.5 mmol/l
Fe	20-25 µmmol/l
Mn	10 µmmol/l
Zn	5 µmmol/l
B	25 µmmol/l
Cu	0.75 µmmol/l
Mo	0.5 µmmol/l

Дозировка питательных веществ

Обычно описанный в приведённой выше таблице питательный раствор приготовляют из двух основных (маточных) растворов, называемых А и В, которые определёнными дозами добавляются в поливную воду. Эти растворы невозможно смешивать в концентрированном виде, поскольку это приведёт к отложению сульфата кальция, что вызовет засорение оросительной системы.

Питательный раствор в субстрате

Состав питательного раствора в субстрате не всегда должен быть идентичен основному составу. Ионы, легче поглощаемые растением, могут содержаться в субстрате в более низких концентрациях, чем в основном составе питательного раствора.

Что касается ионов макроэлементов, которые труднее поглощаются растением, их содержание в субстрате должно быть более высоким. В ниже приведённой таблице даётся обзор результатов анализа содержания питательных веществ в плите из минеральной ваты, в которую капельным методом подаётся питательный раствор. Эти показатели следует рассматривать как общее руководство (общую рекомендацию). В таблице также показано, в каких пределах может колебаться концентрация этих элементов.

Желательные показатели и пределы колебаний содержания различных элементов в питательном растворе в плитах из минеральной ваты:

Оцениваемые параметры		Желательные показатели	Пределы колебаний
Е.С.	mS/cm	3.5 – 5.0	2.5 – 5.0
pН	mS/cm	5.5	5.0 – 6.0
NH₄⁺	mmol/l	0.5	0.1 – 0.5
K⁺	mmol/l	7.0	6.0 – 9.0
Na⁺	mmol/l	6.0	1.0 – 6.0
Ca⁺	mmol/l	7.0	6.0 – 9.0
Mg⁺⁺	mmol/l	3.0	2.0 – 4.0
NO₃^-	mmol/l	16.0	12.0 – 20.0
Cl^-	mmol/l	6.0	1.0 – 6.0
SO₄^-	mmol/l	4.5	3.0 – 6.0
HCO₃^-	mmol/l	1.0	0.1 – 1.0
P	mmol/l	1.5	1.0 – 2.0
Fe	µmmol/l	15.0	9.0 – 25.0
Mn	µmmol/l	7.0	3.0 – 15.0
Zn	µmmol/l	7.0	5.0 – 15.0
B	µmmol/l	50.0	40.0 – 70.0
Cu	µmmol/l	0.7	0.4 – 1.5

Поглощение культурой, накопление и последующее вымывание солей приводит к значительным колебаниям содержания питательных веществ в плите. В соответствии с этим можно сделать следующие замечания:

Электропроводность (Е. С.)

Электропроводность измеряется в мc/см (mS/cm) при 25°С. Этот показатель питательного раствора в пластине важнее всего узнать. Основываясь на нём, регулируют концентрацию солей в поливной воде. Перед посадкой рекомендуется полить плиту водой с электропроводностью примерно 2,2 мс/см. Во время выращивания культуры этот показатель в плите колеблется в пределах 3.5-5. Это означает, что Е.С. поливной воды должна составлять от 2 до 3 мс/см.

Можно руководствоваться следующим общим принципом: Сумма значений Е.С. в плите и в поливной воде должна равняться 6 мс/см.

В осенние и зимние месяцы и в начале выращивания новой культуры летом рекомендуется придерживаться несколько более высокого уровня Е.С. в поливной воде. Незначительное повышение уровня Е.С. будет стимулировать генеративное развитие, а также будет способствовать более высокому качеству плодов. Непрерывное капельное орошение водой с низким уровнем Е.С. почти неизбежно приведет к недостаточному содержанию питательных веществ в плите и, следовательно, к приостановке роста и снижению качества плодов.

Более того, рекомендуется постепенно повышать значение Е.С. в плите, предпочтительно не более чем на 0,5 Е.С. за один раз. Резкое повышение значения Е.С., особенно в зимние месяцы (плохая освещенность), будет вызывать ожог корней. Следует избегать сильного колебания значения Е.С. Следует отдавать предпочтение регулярному внесению питательного раствора.

В течение дня значение Е.С. можно слегка понижать в поздние утренние часы, поскольку в это время с растения происходит более интенсивное испарение, и оно нуждается в дополнительной воде с более низкой Е.С. После удаления верхушки растения (за 8 недель до окончания периода выращивания) уровень Е.С. в плите можно медленно повышать.

В период выращивания растений сорта с генеративным уклоном развития могут находиться на плите с Е.С., равной 2,5. Следует вести постоянное наблюдение за массой растения. При повышении Е.С. у растения будет наблюдаться усиление генеративного развития, что может быть необходимо при выращивании определенных сортов. Следите за тем, чтобы уровень Е.С. не превышал 5-6.

Хлорид (Cl)

Хлорид оказывает положительное влияние на плотность плода. Однако, концентрацию хлорида в плите следует поддерживать на довольно низком уровне. Если концентрация хлорида превышает 6 ммоль/л, рекомендуется добавить еще питательного раствора (дополнительные 10-15%), чтобы немного промыть плиту.

Натрий (Na)

Избыточное содержание натрия будет снижать лежкость (срок хранения) собранных плодов. Поэтому содержание натрия следует поддерживать на максимально низком уровне. Кальций сильно влияет на соленость (Е.С.) раствора. При концентрациях натрия выше 6 ммоль/л поглощение К и Са будет затрудняться.

рН и фосфат

Оптимальное значение рН в пластине колеблется в пределах 5,0 – 6,0. Во избежание нестабильности качества воды, рН воды никогда не должен быть ниже 5,3. При отклонениях рН от оптимального уровня будет наблюдаться следующее:

· pН ниже 5. Нестабильность раствора, возможное отсутствие буферности элементов. Минеральная вата растворится, корни будут повреждаться.

· pН выше 6. Растворимость фосфата будет представлять собой проблему. Растение не сможет поглощать питательные вещества.

Уровень рН можно понизить, добавив азотную кислоту или фосфорную кислоту. Повышения уровня рН можно добиться путем добавления в воду бикарбоната.

Азот, калий, кальций и магний

Старайтесь максимально поддерживать уровень этих элементов в пределах, указанных таблице "Желательных значений …". Во время выращивания культуры временно могут наблюдаться случайные понижения уровня этих элементов. В большинстве случаев они вызваны периодически наблюдающимся повышением потребности в питательных веществах. Уровни азота и калия обычно ниже в период вегетативного роста растения, тогда как в периоды обильного плодоношения часто наблюдаются низкие уровни калия.

Микроэлементы

Содержание микроэлементов в плите колеблется в процессе выращивания культуры. Чтобы избежать симптомов недостаточности или избытка этих элементов, необходимо поддерживать их концентрацию на уровнях, максимально приближенных к значениям, приведенным в таблице "Желательные значения….". Недостаток марганца и цинка будет обнаруживаться не сразу. Чего нельзя сказать о железе, меди и боре. Дополнительное внесение марганца и бора может быстро привести к отравлению, тогда как маловероятно, что другие микроэлементы будут представлять проблему. Опыт показывает, что, несмотря на достаточное содержание марганца и железа в плите, во время обильного плодоношения может наблюдаться хлороз. В этот период растения теряют часть своей корневой системы, что затрудняет поглощение ими железа и марганца. Эти симптомы исчезают, когда собрано большинство плодов и началось восстановление нормального роста корневой системы.

Высокий уровень рН в пластине будет вызывать снижение концентрации Fe и Mn, поскольку эти элементы будут удерживаться плитой и окажутся недоступными для растения. Это будет приводить к хлорозу растения.

Контроль за содержанием питательных элементов

Во время выращивания культуры рекомендуется несколько раз в неделю проверять питательный раствор в плите на электропроводность (Е.С.) и кислотность (рН). Проверку уровней Е.С. и рН в плите следует проводить в различных местах в теплице, чтобы получить реальное представление о ситуации. Кроме того, раз в две недели необходимо анализировать питательный раствор на содержание макро- и микроэлементов. Помимо анализа питательного раствора в плите рекомендуется проверять рН и Е.С. поливной воды. Значения этих показателей должны соответствовать рекомендуемым значениям.

Подготовка площади для выращивания культуры

Перед закладкой плит из минеральной ваты с рассадой в почву ее необходимо выровнять. В противном случае возвышенные участки вскоре окажутся слишком сухими, а низкие, возможно, излишне увлажненными. По этой причине очень важно производить выравнивание почвы в теплице (допускаются перепады менее 10 см на 30-40 м длины). Особенно в первый год возделывания трудно достаточно хорошо выровнять почву без специального оборудования. Заложенные в почву плиты могут иметь незначительный наклон к внутренним сторонам рядов, не давая тем самым избыточной воде заливать дорожки.

Смачивание плит

Перед началом выращивания плиты из минеральной ваты необходимо хорошо увлажнить питательным раствором с Е.С., равной 3,0-3,5. Это можно сделать с помощью системы капельного орошения. На самой длинной, не обращенной к дорожке стороне плиты, как можно ближе к нижней поверхности, необходимо сделать небольшие отверстия (2отв./м), через которые будет вытекать избыток воды. Делайте это только после того, как плиты будут пропитаны до полного насыщения! При вырезании отверстий в плите расширьте их рукой, делая их края зазубренными; это предотвратит притягивание минеральной ватой полиэтиленовой пленки к плите и закупорку отверстий.

Система орошения

Капельное орошение является системой полива, позволяющей получить наилучшие результаты при выращивании на плитах из минеральной ваты. Эффективность фильтрации воды имеет важнейшее значение в предотвращении засорения отверстий капельницы при капельной системе орошения. Фильтр с диаметром ячейки в 100 микрон обычно обеспечивает хорошие результаты. Все компоненты системы орошения, такие как трубы, насосы, резервуары для хранения питательного раствора и т.п., должны быть изготовлены из кислотоупорного материала, такого как синтетика или нержавеющая сталь. Детали из меди, железа или с гальваническим покрытием будут подвергаться коррозии под действием питательных растворов. Кроме того, присутствие в питательном растворе растворенной меди или цинка может вызвать отравление культуры.

После завершения монтажа оросительной системы важно убедиться в правильном распределении воды во всей установке. Кроме того, необходимо знать расход воды на одну капельницу в минуту. Перед заложением следующей культуры систему орошения следует тщательно прочистить. Поливной трубопровод системы капельного орошения можно легко прочистить соляной хлористоводородной кислотой для удаления органического ила и азотной кислотой для удаления отложений солей. Внимание!: никогда не используйте эти два вещества вместе, поскольку при этом образуется очень опасный хлорный газ. Всегда тщательно промывайте поливной трубопровод системы капельного орошения между обработками этими двумя веществами.

Посадка

Убедитесь, что теплица готова для приема растений во всех отношениях, как это описано в разделе о выращивании в почве. Удостоверьтесь, что содержание питательных веществ в плитах и условия подачи питательного раствора нормальные, посадочные лунки приготовлены и т.п. Температура плит должна составлять минимум 16°С. Убедитесь в том, что рассада в хорошем состоянии и соответствует характеристикам, описанным в главе "Технология выращивания индетерминантных томатов".

Поместите растения на полиэтиленовую пленку рядом с посадочными лунками, но так, чтобы они не соприкасались непосредственно с минеральной ватой. Такая мера необходима для эффективного регулирования генеративного и вегетативного развития молодых растений.

Поместите капельницу системы капельного орошения поверх горшка с минеральной ватой; она будет там оставаться на протяжении всего периода выращивания. Удаление капельницы с горшка, и капание прямо на плиту из минеральной ваты приведет к значительному накоплению соли на верхней части горшка.

В дальнейшем растения помещают на плиту и дают им возможность пустить корни в неё. Посадка заключается лишь в том, чтобы переместить растения с пленки на плиту в лунку, вырезанную в плите. Растения помещают на плиту во время цветения 1-й, 2-й или 3-й кисти, причем срок посадки в значительной мере зависит от типа выращиваемого сорта. У сортов с выраженным вегетативным развитием необходимо стимулировать генеративное развитие, поэтому их помещают на плиту позднее, чем сорта с выраженным генеративным развитием.

В зависимости от сорта, раннеспелые культуры можно садить с плотностью 2,1-2,25 растений на м². В большинстве случаев для томатов типа “БИФ” (“Beef”) густота посадки ниже. Основные культуры при хорошей освещенности удовлетворительно растут при густоте посадки 2,25-2,50 растений на м² (летняя культура).

Сразу после посадки вода из кубиков будет стекать прямо в плиту. Поэтому необходимо произвести полив сразу после посадки. Однако, в первый период после посадки (1-3 недели) следует производить минимальный полив растений. Это будет вынуждать корни "искать" воду и развивать хорошую корневую систему.

Сразу после посадки следует избегать "взрыва роста", поскольку это сделает невозможным проведение мер по регулированию роста растения!

В начале выращивания поливайте, по меньшей мере, три, предпочтительнее пять, раз в день. В большинстве случаев растения укоренятся в плите в течение нескольких дней. Но и после этого будет необходимо регулярно поливать с помощью капельного орошения. Это следует продолжать до тех пор, пока на наружной стороне плиты из минеральной ваты не появятся корни; в зимний период на это может потребоваться несколько недель. Только к тому времени растения хорошо укоренятся, и полив можно будет производить по потребности.

Температура и вентиляция

В общем, можно использовать методику регулирования температуры и вентиляции в том виде, как она описана в разделе о выращивании в почве. Приведенные ниже рекомендуемые температуры должны обеспечить получение высоких урожаев однородных плодов высокого качества.

Ночная температура: 16-18°С

Дневная температура: 18-20°С

Температура плиты: 17-19°С

Температура плиты должна коррелировать с дневной и ночной температурой. Допускается чуть более низкая (на 1°С) температура плиты.

В зависимости от габитуса растения (особенно при сдвиге в сторону вегетативного развития), дневную температуру можно повысить на 4°С при наличии достаточного освещения.

Повышение ночных температур позволяет получать более высокие урожаи в первые 3 недели сбора плодов, тогда как при более низких температурах урожаи выше после этого периода. Потенциальную прибыль от раннего сбора урожая следует сопоставить с расходами на топливо при использовании данных температур.

Регулирование влажности, обогащение СО₂, увлажнение и завязывание плодов

Рекомендации по этим вопросам изложены в разделе "Выращивание в почве".

Норма полива

Норма расхода питательного раствора на протяжении выращивания культуры зависит от размеров растений, уровня солнечной радиации и обогрева теплицы. Для растений, достигших полного развития, потребность в питательном растворе колеблется в пределах 2-6 л/м² в день. В жаркие дни норма полива может достигать 7-10 л/м². Это эквивалентно 30-40 подачам воды (с питательным раствором) объемом в 100 см/³ на растение в день.

Всегда поддерживайте достаточный дренаж. Нормальный процент дренажа составляет 25% за период с 10.00 до 15.00 ч. Дренаж важен по следующим причинам:

· оросительные системы никогда не распределяют воду безупречно;

· не все растения испаряют одинаковое количество воды;

· необходимо вымывать соли из плиты из минеральной ваты.

Норму полива следует соотносить с Е.С. плиты и Е.С. воды. Она может составлять от минимум 100 см³ - до максимум 300 см³ на растение за один полив. Частота полива может составлять до 3 раз в день.

Томаты типа “БИФ” (“Beef”)

Общие замечания

Когда говорят о томатах типа “БИФ” (“Beef”), имеют в виду плоды массой приблизительно в 150-250 г. В большинстве случаев индетерминантные томаты этого типа представляют собой очень мощные растения с довольно выраженным вегетативным характером развития. Это означает, что в период выращивания культуры температурный режим и другие параметры должны быть нацелены на стимулирование генеративного развития растений.

Выращивание рассады

Поскольку томаты этого типа обычно очень мощные с выраженным вегетативным характером развития, необходимо создать условия, стимулирующие генеративное развитие. Следуйте общим рекомендациям, изложенным в главе "Технология выращивания индетерминантных томатов". Стремитесь к получению растений с короткими междоузлиями и первой цветочной кистью между 9-м и 10-м листьями.

При выращивании рассады очень важно добиться того, чтобы корни из кубиков не проникали в подлежащую почву. Поместите кубики с рассадой на перевернутые вверх дном пластмассовые блюдца для предупреждения проникновения корней в подлежащую почву и хорошего дренажа. Накройте почву под кубиками белой полиэтиленовой пленкой, которая будет способствовать отражению света и снижению влажности, что также будет стимулировать генеративное развитие растений.

Начало культуры

Нормальное растение в начале культуры должно обладать следующими характеристиками:

· под первой цветочной кистью должно быть 9-10 листьев;

· цветочная кисть должна быть правильной формы и иметь короткую цветоножку;

· цветочная кисть должна быть обращена книзу;

· междоузлия должны быть правильно расположены (средняя длина – 5-7см, в зависимости от сорта).

· стебель растения не должен быть слишком толстым, но и не тонким.

Когда растения высаживают в теплице, генеративное развитие следует стимулировать путем недопущения слишком быстрого прорастания корней рассады в подлежащую почву или плиту из минеральной ваты. Если у растения разовьется слишком мощная корневая система, это значительно затруднит применение корректирующих мер и возможность регулирования роста растения.

Усиления генеративного развития добиваются тем, что сначала помещают растение рядом с посадочной лункой и ограничивают норму полива на этой стадии. Это повысит Е.С. и вызовет "генеративную реакцию" растения. Внимательно следите за уровнем Е.С. в плите из минеральной ваты (макс. 6-7 мс/см) и массой растения.

Во время цветения второй или третьей кисти растения можно поместить на плиту из минеральной ваты. Дайте возможность растению пускать корни в плиту в течение нескольких дней, а затем поддерживайте плиту в относительно сухом состоянии. Это заставит корни "искать" воду, и у растений разовьется хорошая корневая система. Ввиду того, что у томатов типа “Beef” четко выраженный вегетативный характер роста, их рост следует регулировать путем поддержания относительно высокой Е.С. в плите.

Когда растение характеризуется выраженным вегетативным ростом, стимулирования генеративного развития можно добиться с помощью следующих мер:

1. Увеличение разности между дневной и ночной температурой. Повышайте температуру в послеполуденные часы для стимуляции роста (до 25°С при наличии достаточного освещения). Затем постепенно снижайте температуру до 16-18°С в предночной период. Такое изменение температуры будет стимулировать генеративное развитие.

Температура

Ввиду выраженного вегетативного характера роста томатов этого типа температурный режим должен предусматривать более значительную разность между дневной и ночной температурой. Это будет стимулировать генеративное развитие растения. Рекомендуется использовать следующие температуры:

Ночная температура: 16-18°С

Дневная температура: 19-25°С

Обогрев теплицы в дневное время до температуры выше 21°С можно производить только при условии достаточной освещенности!

Следите за тем, чтобы ночная температура была постоянно не ниже 15°С. Низкие температуры будут приводить к образованию сетки трещин вокруг вершины плода томата (catfaced fruits), ребристых плодов, крупных цветков и к замедлению процесса опыления.

Полив и электропроводность

После того как у молодого растения сформируется корневая система в плите из минеральной ваты или почве, рекомендуется поддерживать Е.С. на уровне 4-5 мс/см, в зависимости от условия и развития растения. Такого значения Е.С. рекомендуется придерживаться вплоть до начала сбора урожая.

Во время сбора урожая рекомендуется поддерживать Е.С. на уровне 3,5-4,5 мс/см. Эта мера будет способствовать образованию крупных плодов. Внимательно следите за ростом верхушки растения, так как эта мера также будет стимулировать вегетативное развитие. Признаки чрезмерного вегетативного развития описаны в главе "Технология выращивания индетерминантных томатов".

Вообще говоря, растения томата типа “Beef” характеризуются высоким корневым давлением. По этой причине полив не следует производить полив растений слишком рано утром (до 9:30 ч), поскольку повышенное корневое давление на цветки будет способствовать развитию остроконечных, сливообразных плодов. В более поздние утренние часы, когда испарение с растения происходит более интенсивно, норма полива должна быть достаточно большой, чтобы растение могло поглотить достаточное количество воды.

Прореживание цветков

При выращивании томатов типа “БИФ” (“Beef”) обычно практикуется прореживание цветков. Это очень важно, поскольку при меньшем количестве плодов на растении масса плода будет значительно выше, плоды будут более однородными, а растение характеризоваться сбалансированным развитием. В качестве общей рекомендации можно сказать, что когда цветет 3-я кисть, следует производить прореживание первых двух кистей.

В зависимости от сорта и состояния развития растения у большинства сортов томата типа "БИФ" при прореживании следует оставлять по 3 цветка/плода на первых двух кистях и по 4 цветка/плода на остальных кистях. У томатов типа “БИФ” (“Beef”) с более мелкими плодами можно оставлять по 4 плода на первых двух кистях и по 5 плодов на остальных кистях. Прореживание является одной из наиболее важных мер, позволяющих добиться сбалансированности вегетативного и генеративного развития растения!

После цветения 3-й кисти прореживание следует производить в то время, когда цветки в соцветии еще не распустились. Нормальная частота прореживания – раз в неделю. Это можно делать регулярно, одновременно с пасынкованием и обвиванием верхушки растения вокруг направляющей нити.

ВНИМАНИЕ: Предлагаемая информация основана на опыте выращивания томатов в Голландии. Хотя эта технология разработана с учётом новейшей информации в этой области, мы не берём на себя никакой ответственности в том случае, если ожидаемые результаты не будут получены. Более того, мы не гарантируем получения одинаковых результатов в различных условиях окружающей среды.

К другим статьям